場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別 !

場效應(yīng)管和晶閘管都是電子電路中常用的開關(guān)型器件，但是兩者存在本質(zhì)的區(qū)別。場效應(yīng)管包括結(jié)型場效應(yīng)管JFET和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET。而晶閘管一般是指可控硅，可控硅按照導(dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。

什么是場效應(yīng)管

這里主要介紹MOSFET。MOSFET有三個電極，分別為柵極G、源極S和漏極D，其中柵極G為控制端，源極S和漏極D為輸出端。從半導(dǎo)體的構(gòu)成方面可以分為NMOS和PMOS。這兩種MOS的電路符號如下圖所示：

PMOS的襯底為N型半導(dǎo)體，在VGS《0時，會形成P溝道，所以叫做P溝道MOS；而NMOS的襯底為P型半導(dǎo)體，在VGS》0時，會形成N溝道，所以叫做N溝道MOS。

MOS管是電壓驅(qū)動型的器件，主要用作可控整流、功率開關(guān)、信號放大等，應(yīng)用比較廣泛。MOS管的通道依靠VGS的電平，對于NMOS而言，VGS 》0時，NMOS導(dǎo)通，否則NMOS截止；對于PMOS而言，VGS《0，PMOS導(dǎo)通，否則截止。

晶閘管又稱可控硅，其與場效應(yīng)管一樣，皆為半導(dǎo)體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們在電路中的用途卻不一樣。

▲ TO-220封裝的BT136雙向晶閘管。

▲ TO-220封裝的N溝道MOS場效應(yīng)管。

晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們在電子電路中可以作為電子開關(guān)使用，用來控制負(fù)載的通斷；可以用來調(diào)節(jié)交流電壓，從而實現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。

晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控?zé)?，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關(guān)驅(qū)動燈泡工作。在白熾燈泡無級調(diào)光或電風(fēng)扇無級調(diào)速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來實現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。

▲ 雙向晶閘管的電路符號。

▲ MOS場效應(yīng)管的電路符號。

場效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件，其可以分為結(jié)型場效應(yīng)管和MOS場效應(yīng)管兩種，每種類型的場效應(yīng)管又有P溝道和N溝道之分。場效應(yīng)管在電子電路中既可以作為放大器件用來放大信號，又可以作為開關(guān)器件用來控制負(fù)載的通斷，故場效應(yīng)管的用途比晶閘管更廣一些。

在功放電路中，采用VMOS場效應(yīng)管作為功率放大元件，可以提高音質(zhì)；在開關(guān)電路中，驅(qū)動電機等大電流負(fù)載時，選用MOS場效應(yīng)管作為電子開關(guān)，可以減輕前級驅(qū)動電路的負(fù)擔(dān)（若選用晶閘管的話，需要從前級電路汲取較大的驅(qū)動電流）。

綜上，場效應(yīng)管和晶閘管的區(qū)別就是：場效應(yīng)管既可以放大信號，亦可以作為高速電子開關(guān)控制負(fù)載的通斷，同時還可以實現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等功能，而晶閘管不能用來構(gòu)成放大器放大信號，用作電子開關(guān)時，工作頻率也不及場效應(yīng)管高，只能用于低速控制。